EMI分為傳導(dǎo)與輻射兩部分，對(duì)于EMI解決方案，相關(guān)理論書(shū)籍也很多，作為一位電源產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工程師，即使你看了很多EMI處理方面的書(shū)籍，但碰到處理EMI問(wèn)題，還是無(wú)從下手，或是不能對(duì)癥下藥，在這兒我們不妨先拋開(kāi)讓人難以理解的理論，針對(duì)我們?cè)谔幚韺?shí)際EMI問(wèn)題的一些經(jīng)驗(yàn)對(duì)策總結(jié)，也歡迎有同樣經(jīng)驗(yàn)的工程師也來(lái)發(fā)表自己的看法，1MHZ以?xún)?nèi)，以差模干擾為主。（整改建議）1、增大X電容量；2、添加差模電感；率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。1MHZ-5MHZ，差模共?；旌希捎幂斎攵瞬⒙?lián)一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決，（整改建議）。時(shí)脈訊號(hào)、高頻訊號(hào)等，在PCB設(shè)計(jì)時(shí)進(jìn)行包地處理，并打些地孔，可有效降低EMI。安徽儀器儀表EMI分析整改報(bào)告

通常，高速數(shù)字電路的EMI發(fā)射帶寬可以通過(guò)下面的公式計(jì)算：F=1/πTr，F(xiàn)為開(kāi)關(guān)電路產(chǎn)生的高EMI頻率，單位為GHz，Tr為信號(hào)的上升時(shí)間或者下降時(shí)間，單位為ns。比如，對(duì)于上升時(shí)間為1ns左右的器件，那么它所產(chǎn)生的高EMI頻率將為350MHz，而如果上升時(shí)間降為為500ps，那么它的高EMI發(fā)射頻率將為700MHz，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于系統(tǒng)正常的工作頻率，這將會(huì)在一定程度上影響周?chē)渌到y(tǒng)的正常工作。顯然，如果能減緩信號(hào)的上升沿，將會(huì)在很大程度上減少EMI，但是隨著電子設(shè)計(jì)和芯片制造水平的發(fā)展，器件總是朝著高速方向發(fā)展，單一的降低信號(hào)開(kāi)關(guān)速率顯然是不現(xiàn)實(shí)的。但我們卻可以通過(guò)降低信號(hào)電壓來(lái)達(dá)到同樣的目的，因?yàn)樵谙嗤臅r(shí)間內(nèi)，低電壓器件需要跨越的邏輯門(mén)電壓幅度較小，就同樣減緩器件的上升沿速率，所以低電壓器件也是高速電路發(fā)展的趨勢(shì)。深圳芯片EMI分析整改儀器在兩根線(xiàn)上的傳輸?shù)男盘?hào)就是差分信號(hào)。

對(duì)于電磁干擾的分析，可以從電磁能量外泄方面來(lái)考慮，如果器件向外泄露的能量越少，我們可以認(rèn)為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對(duì)于高速的數(shù)字器件來(lái)說(shuō)，產(chǎn)生高頻交流信號(hào)時(shí)的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個(gè)主要原因。我們知道，數(shù)字信號(hào)在開(kāi)關(guān)輸出時(shí)產(chǎn)生的頻譜不是單一的，而是融合了很多高次諧波分量，這些諧波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降時(shí)間來(lái)決定，信號(hào)上升和下降速率越快，即開(kāi)關(guān)頻率越高，則產(chǎn)生的能量越多。所以，如果器件在很短的時(shí)間內(nèi)完成很大的電壓瞬變，將會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁輻射，這個(gè)電磁能量的外泄就會(huì)造成電磁干擾問(wèn)題。

有效降低電路EMI的技巧：當(dāng)存在一個(gè)磁場(chǎng)時(shí)，一個(gè)由導(dǎo)電材料形成的環(huán)路充當(dāng)了天線(xiàn)，并且把磁場(chǎng)轉(zhuǎn)換為圍繞環(huán)路流動(dòng)的電流。電流的強(qiáng)度與閉合環(huán)路的面積成正比。有效降低電路EMI的技巧：出現(xiàn)在板級(jí)連接的場(chǎng)合。如智慧機(jī)上盒(STB)產(chǎn)品，在STB主機(jī)板和EOC主機(jī)板或者Wi-Fi模組連接時(shí)，會(huì)在GND鏈路形成一個(gè)板級(jí)環(huán)路，可以在GND中間串接一個(gè)電感或者鐵氧體磁珠進(jìn)行隔離。透過(guò)雙絞線(xiàn)電纜傳輸訊號(hào)時(shí)，每對(duì)差分發(fā)射/接收都形成一個(gè)環(huán)路，因雙絞線(xiàn)緊密耦合，對(duì)于鏈路的電纜部分而言環(huán)路面積很小。需要保持緊密耦合，減少環(huán)路面積。保持訊號(hào)路徑和它的地返回線(xiàn)緊靠在一起將有助于小化地線(xiàn)環(huán)路，避免出現(xiàn)潛在的天線(xiàn)環(huán)。

培訓(xùn)針對(duì)研發(fā)相關(guān)工程師在產(chǎn)品測(cè)試與認(rèn)證過(guò)程中，輻射發(fā)射以及傳導(dǎo)發(fā)射問(wèn)題的測(cè)試原理，解決思路，各類(lèi)整改的方法與對(duì)策、EMI診斷工具的使用進(jìn)行講解，整個(gè)課程與工程師研發(fā)實(shí)際工作緊密聯(lián)系；整個(gè)教學(xué)過(guò)程，輻射發(fā)射以及傳導(dǎo)發(fā)射問(wèn)題的定位與整改，結(jié)合技術(shù)已經(jīng)成功解決項(xiàng)目案例進(jìn)行講解，以便讓學(xué)員在產(chǎn)品問(wèn)題解決過(guò)程中，少走或不走彎路，能夠在短時(shí)間內(nèi)掌握與吸收成功的EMI問(wèn)題解決經(jīng)驗(yàn)；加強(qiáng)整個(gè)授課環(huán)節(jié)的互動(dòng)溝通與交流，參加學(xué)習(xí)人員在自己工作實(shí)踐當(dāng)中碰到的困惑與難題都可以在培訓(xùn)課上得到老師的指點(diǎn)與解答，同時(shí)培訓(xùn)課間以及課后都留有時(shí)間與學(xué)員進(jìn)行問(wèn)題探討、問(wèn)題分析和解答。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。安徽儀器儀表EMI分析整改報(bào)告

較小面積環(huán)路中通過(guò)的磁通量也少，感應(yīng)出的電流也較小，因此環(huán)路面積必須小。安徽儀器儀表EMI分析整改報(bào)告

20-30MHZ，（整改建議）1、對(duì)于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。因?yàn)樗鼈兊墓逃械碾娏骷半妷翰ㄐ?，以非常快速的開(kāi)關(guān)時(shí)間變化。200MHZ以上，開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對(duì)GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對(duì)Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片電或SMD電容（容量范圍1000PF-4700PF/1KV），對(duì)輻射40MHz-90MHz，110MHz-170MHz均有改善。安徽儀器儀表EMI分析整改報(bào)告